特長
- 角15mmの小片試料を1800℃の超高温域へ10秒で昇温可能
- スポット加熱による高い反射効率
- 卓上型のコンパクトなボディ
- 赤外線ランプ加熱により、発生ガスやダストが少ないクリーン加熱
- お手持ちのパソコンから温度プログラム設定や外部信号の入力が簡単に実行可能
- 加熱中の温度データをパソコン上に表示することが可能
用途
- SiC（パワーデバイス）酸化膜形成～活性化
- 高融点材料の熱処理
- 焼結、焼成炉
- 局部加熱衝撃試験炉
- 結晶成長試験炉（ゾーンメルト）
仕様
| HT-RTA59HD | |
|---|---|
| 温度範囲 | RT ～ 1800℃ |
| 試料寸法 | 角15mm × 厚1mm |
| 加熱雰囲気 | 各種ガスフロー中 |
| 熱電対 | JIS B φ0.3（W-Re対応可） |
| 装置寸法 | 約W410 × D450 × H840（突起部分除く） |
