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※機器のスペック仕様は、各メーカーのカタログ掲載値より引用
※製品画像はメーカーより許可を得て掲載しています

赤外線ランプ加熱装置│アドバンス理工社製(RTP-6)

※価格についてはお問い合わせください。

アドバンス理工社製の赤外線ランプ加熱装置(RTP-6)は、放物面反射赤外線ランプによって4~6インチウエハを均一かつ高速(最大80℃/秒)に加熱できる装置です。温度範囲は室温~1100℃で、ガス中・ガスフロー中・大気中・真空中での熱処理に対応し、主に半導体プロセスのアニールやシリサイド形成、酸化膜形成などの研究・開発に利用されます。温度プログラムやデータ管理はパソコンから簡単に行え、水冷メタルチャンバによるコールドウォール構造で高速冷却も可能です。

特長

  • 高速加熱処理が可能
  • 水冷メタルチャンバ式のコールドウォール構造で高速冷却が可能
  • 真空置換後のガスフローも可能
  • お手持ちのパソコンから温度プログラム設定や外部信号の入力が簡単に実行可能
  • 加熱中の温度データをパソコン上に表示することが可能
  • チャンバ内、汚れ防止に石英防着板取り付け可能(オプション)
  • 9ゾーン出力制御により優れた温度分布と再現性が可能

構成

  • 赤外線ゴールドイメージ炉
  • 熱処理チャンバ
  • プログラム温度コントローラ
  • 9ゾーン出力ユニット
  • スパン切換ユニット
  • ガス配管系
  • 熱気排気装置
  • 架台・配電盤
  • パイロメータ(オプション)
  • 冷却水循環装置(オプション)
  • 真空排気装置(オプション)

仕様

RTP-6
温度範囲 RT ~ 1100℃
試料寸法 標準 φ6インチウエハ 1枚
(φ4インチ または φ5インチ用はオプション)
雰囲気 ガス中、ガスフロー中、大気中、真空中
(真空排気装置はオプション)
加熱方式 放物面反射赤外線ランプによる上部片面加熱方式
(下部方向加熱方式も可能)
最大加熱速度 80℃ /sec
均熱精度 ⊿t=10℃(800℃保持時、N₂中)
制御センサ 標準:熱電対 JIS “K”
(SiCコート付カーボンサセプタに挿入方式)
オプション:パイロメータ
装置寸法 約W600×D1000×H1700(mm) 突起物を除く

この製品を導入した実績

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