特長
- 最高200℃ /sの昇温レートで加熱が可能
- C to C ロボット搬送システムの対応可能
- 半導体製造装置との連結が可能
- 複数枚の均熱処理を行えるランプのゾーン出力コントロール
用途
- イオン注入後の活性化アニール
- 酸化膜生成アニール
- オーミック電極のアロイング
- PZT、SBT等強誘電体薄膜の結晶化アニール
- Siウエハのドナーキラー処理
- シリサイド形成、サリサイド形成
- 発光素子、半導体レーザ用基板の熱処理
- 極浅接合形成
- 強誘電体キャパシタの成膜
- ゲート酸化膜形成
仕様
| RTA-2000 | RTA-4000 | RTA-6000 | RTA-8000 | RTA-12000 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 試料寸法 | φ2インチ × 1枚 | φ3 ～ 4インチ × 1枚 | φ4 ～ 6インチ × 1枚 | φ6 ～ 8インチ × 1枚 | 300mm × 1枚 |
| 温度範囲 | RT ～ 1000℃ | RT ～ 1000℃ | RT ～ 1000℃ | RT ～ 1000℃ | RT ～ 1000℃ |
| 最大昇温速度 | 100℃ /s | 200℃ /s | 200℃ /s | 200℃ /s | 100℃ /s |
| 雰囲気 | 大気中・真空中・ガス中・ガスフロー中 | 大気中・真空中・ガス中・ガスフロー中 | 大気中・真空中・ガス中・ガスフロー中 | 大気中・真空中・ガス中・ガスフロー中 | 大気中・真空中・ガス中・ガスフロー中 |
※上記仕様のほか、複数ウェハ同時処理、ウェハカセット対応ロボット搬送付装置、昇降温速度、各種ガス雰囲気および真空加熱など、各種特殊仕様も承ります。お気軽にご相談ください。
