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※機器のスペック仕様は、各メーカーのカタログ掲載値より引用
※製品画像はメーカーより許可を得て掲載しています

金属・半導体用電気抵抗測定装置│アドバンス理工社製(TERシリーズ)

※価格についてはお問い合わせください。

アドバンス理工社製の金属・半導体用電気抵抗測定装置(TERシリーズ)は、直流四端子法を用いて高精度に電気抵抗を測定できる装置です。温度範囲はモデルにより室温~1200℃(TER-2000RH)および-150℃~200℃(TER-2000L)で、不活性ガス、大気、真空中での測定が可能です。定速昇降温や定温保持過程での測定に対応し、熱起電力の影響を受けないため、金属の相変態や時効析出、再結晶、形状記憶合金の研究開発、各種半導体材料の温度依存抵抗測定に適しています。

特長

  • 定速昇降温過程、定温保持過程での電気抵抗測定が可能
  • 直流四端子法で高精度測定が可能
  • 熱起電力の影響を受けない測定

用途

  • 金属の相変態、時効析出、再結晶などの研究
  • アモルファス金属の再結晶分析
  • 形状記憶合金の研究開発
  • 各種半導体材料の温度での電気抵抗の測定

仕様

TER-2000RH TER-2000L
温度範囲 室温~1200℃ -150℃~200℃
測定方式 直流四端子法 直流四端子法
測定範囲 100Ω~5X10⁻⁵Ω 100Ω~5X10⁻⁵Ω
試料寸法 φ10mm×長100mm φ10mm×長100mm
測定雰囲気 不活性ガス中、大気中、真空中(オプション) 不活性ガス中、大気中、真空中(オプション)

この製品を導入した実績

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