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小型の高周波スパッタリング装置で省スペースで使用可能です。

金属、半導体、絶縁物の成膜が可能で、研究開発等の実験用に最適です。

ＲＦ電源も搭載しております。

【仕様】

到達圧力(Pa)※絶対圧表記：6.6×10-4

到達圧力(kPa)※ゲージ圧表記：-101.3

排気時間：6.6×10-3Pa/5min

真空層：金属チャンバー(200mm(W)×250mm(D)×150mm(H))

カソード：φ80mm、1元

基板推奨サイズ：φ80mm×t1-5mm

有効成膜範囲：50mm

成膜速度(mm)：SiO2 成膜にて、20nm/min以上

膜厚分布：SiO2 成膜にて、50mm領域±8%以内

基板加熱温度：Max 350℃

基板/電極間距離：30～50mm(可変)

メインポンプ：油拡散ポンプ(水冷) 150L/sec

液体窒素トラップ：オプション

補助ポンプ：油回転真空ポンプ　100L/min

オイルミストトラップ：OMT-100A

メインバルブ：クラッパーバルブ

補助バルブ：三方向バルブ

自動リークバルブ：オプション

操作：手動

RF電源：Max 300W(0～300W可変)

ピラニ真空計：G-TRAN

電離真空計：オプション

最大寸法(mm)：764(W) × 723(L) × 1648(H)

質量(kg)：260

※製品画像はメーカーより許可を得て掲載しています

※機器のスペック仕様は、各メーカーのカタログ掲載値を引用

・Φ80mm×1基のカソードで、単層成膜を行うことができます

・コンベンショナルスパッタで、スパッタ速度20nm/min（SiO2）を実現可能です

・メインポンプは油拡散ポンプを使用しています

・絶縁物・金属・半導体材料の小型の高周波スパッタリング装置です

・絶縁物・金属・半導体材料の小型の高周波スパッタリング装置です

・小型の為、省スペースで使用可能です