特長
本装置はφ4～φ6インチウェハーに対しデスカム・表面改質・アッシング処理が可能です。また、自動搬送機構を付属しておりウェハー割れ防止や、ウェハー移載にかかる作業時間コストの削減に貢献します。さらに、プロセス室はウェハー2枚同時処理により高いスループットを実現しています。装置本体サイズがW1,400㎜×D2,000㎜とコンパクトな設計となっています。
用途・応用例
- 各種ウェハー電子部品のレジスト除去
- 後工程メッキ前の表面改質
- 有機汚染除去
- 樹脂材料の表面改質
- SAWデバイスなどの極薄圧電ウェハー対応
仕様
| SPE-2136A | |
|---|---|
| 装置構成 | ⑴ 搬送ロボットを搭載した搬送エリアとアッシング室で構成 ⑵ 真空槽材質は、脱脂処理を施したA5052製を採用 |
| 排気系 | ドライポンプ 1式 |
| 性 能 | ⑴ 到達圧力：1Pa以下 ⑵ 排気時間：10Paまで18秒以内 ⑶ アッシング分布：±10％以内 ⑷ サイクルタイム：45sec（18枚／カセット、φ4インチ基板）※参考値 |
| 電源系 | ⑴ RF電源：MAX 1,000W（13.56MHz） ⑵ マッチングボックス：オートマッチング仕様 |
| ガス導入系 | O2ガス用 マスフローコントローラー 1式 |
| 制御系 | ⑴ シーケンサーの使用により、全自動操作が可能 ⑵ 基板処理枚数はタッチパネル上に常時表示し、エラー履歴を確認可能 ⑶ レシピ管理、ログ取得を付属のパソコンにて行います |
| 外形寸法 | 装置本体：W1,340㎜×D1,945㎜×H1,870㎜ 装置重量：1,000Kg |
| ユーティリティー | ⑴ 電力：200V 3φ 50/60Hz 14.3KVA ⑵ 冷却水：20～25℃ 0.36㎥/hr （6ℓ/min） ⑶ 圧空：0.5MPa 20ℓ/min ⑷ O2ガス：0.05MPa プロセス用 ⑸ N2ガス：0.3MPa 60ℓ/min ⑹ アース：A種アース |
オプション
- C to C
- 高スループット
- 分布：ウェハー内±10％以下（Si基板）
- 2枚同時処理、低温処理
- Arプラズマクリーニング（オプション）
- イオナイザーによる静電対策（オプション）
