特長
小型の高周波スパッタリング装置で省スペースで使用可能です。
金属、半導体、絶縁物の成膜が可能で、研究開発等の実験用に最適です。
ＲＦ電源も搭載しております。
- Φ80mm×1基のカソードで、単層成膜を行うことができます
- コンベンショナルスパッタで、スパッタ速度20nm/min（SiO2）を実現可能です
- メインポンプは油拡散ポンプを使用しています
- 絶縁物・金属・半導体材料の小型の高周波スパッタリング装置です
- 小型の為、省スペースで使用可能です
仕様
| RFS-201 | |
|---|---|
| 到達圧力（Pa）※絶対圧表記 | 6.6×10⁻⁴ |
| 到達圧力（kPa）※ゲージ圧表記 | -101.3 |
| 排気時間 | 6.6×10⁻³Pa / 5min |
| 真空層 | 金属チャンバー（200mm(W)×250mm(D)×150mm(H)） |
| カソード | φ80mm、1元 |
| 基板推奨サイズ | φ80mm×t1～5mm |
| 有効成膜範囲 | 50mm |
| 成膜速度 | SiO₂成膜にて、20nm/min以上 |
| 膜厚分布 | SiO₂成膜にて、50mm領域±8%以内 |
| 基板加熱温度 | Max 350℃ |
| 基板/電極間距離 | 30～50mm（可変） |
| メインポンプ | 油拡散ポンプ（水冷）150L/sec |
| 液体窒素トラップ | オプション |
| 補助ポンプ | 油回転真空ポンプ 100L/min |
| オイルミストトラップ | OMT-100A |
| メインバルブ | クラッパーバルブ |
| 補助バルブ | 三方向バルブ |
| 自動リークバルブ | オプション |
| 操作 | 手動 |
| RF電源 | Max 300W（0～300W可変） |
| ピラニ真空計 | G-TRAN |
| 電離真空計 | オプション |
| 最大寸法 | 764(W) × 723(L) × 1648(H) mm |
| 質量 | 260kg |
