特長
- 高速排気 4.0×10-4Paまで20分
- 膜厚分布±1.0％以下を実現しました。（φ4インチウェハ面内）
- リフトオフ用途に適した蒸着材料の垂直入射が可能です。
（入射角±5度（φ6インチ）） - 低温蒸着プロセスによりレジストパターンへダメージレスで成膜可能です。
- 補正板を4式搭載しており、4材料の膜厚分布調整が可能です。
- Al蒸着のハイレート化を実現しました。（当社従来比で3倍）
- Au-Sn半田などの厚膜プロセスにも対応しています。
- レシピ設定管理・ロギングの取得が可能です。
- 防着板は最小限の交換作業でメンテナンス可能な構造を採用しています。
- イオンソース搭載(オプション)により成膜前のクリーニング処理が可能となり、 自然酸化膜の除去、有機物の除去、表面改質などに効果的です。
- イオンソース搭載(オプション)により、成膜中のアシスト蒸着が可能となり、 密着力の改善応力コントロール、膜質コントロールなどに効果的です。
仕様
| SEC-22C | |
|---|---|
| 到達圧力 | 6.7×10-5Pa以下 |
| 排気速度 | 大気圧より4.0×10-4Pa迄20分以内 |
| 基板加熱 | MAX150℃ 常用100℃ |
| 蒸発源 | 電子銃270°偏向、電源10kW |
| 膜厚分布 | ±1%以内（バッチ内、バッチ間） T/S＝1,100mm （700～1,100mm迄対応可能） |
| 排気系 | クライオポンプ、ドライポンプ、メカニカルブースターポンプ |
| 真空槽 | W800mm×D800mm×H1,300mm、SUS304製 |
| フットプリント | W2,500mm×D4,300mm×H2,800mm |
| 所要電力 | 本 体：Φ3 200V 約40KVA（115A） 蒸発源：Φ3 200V 約25KVA（73A） |
| 所要水量 | 0.2MPa以上（差圧）、44L/min、20～25℃ ※冷却水入口の最大圧は0.4MPa以下、水質は市水相当 |
| 所要圧空 | 0.7MPa（設定圧0.5MPa）、接続口径Rc1/2 |
| ガス圧力 | 0.05MPa（設定圧0.02MPa）、接続口径SWL1/4 |
オプション
- 基板クリーニング機構搭載
・イオンソース
・ボンバード - 基板冷却機構（冷却ドーム）
- プラネタリー治具（自公転基板治具）
- T/S＝700mm、900mm
