特長
本ウエハトリミング装置はφ4インチもしくはφ6インチウエハに対して収束させたイオンビームを照射することで、ウエハ表の凹凸をσ=1.0nm以下まで平坦化できるため、精密加工に貢献します。
- ロードロックタイプでトリミング室を常に真空に保てるため安定性・再現性が高い。
- 真空中にてダブルハンドでウエハの入れ替えを行うため搬送待ちによる時間ロスが最小限。
- 独自のウエハアライメント機構によりトリミング前後でウエハの割れ欠け検知が可能。
- イオンソース用グリッドのラインナップあり。(ハイレート用、高精度用、低コスト用など)
- 対象ウエハに合わせてハード面・ソフト面での各種カスタマイズが可能。
- イオンソースの引取りメンテナンスサービスにより安定した装置運用の提供。
用途・応用例
5G高周波フィルター向けSAWデバイス・BAWデバイス、光通信向け光学デバイスなど(上記以外もトリミング実験を実施し、対応可否を検証させていただきます。)
仕様
SST-M01T | |
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到達圧力 | バッファー室:5.0Pa以下 / トリミング室 :8.0×10-4Pa以下 |
排気時間 | バッファー室:40Paまで90秒 / トリミング室 :6.7×10-3Paまで15分 |
排気系 | バッファー室:ドライポンプ / トリミング室 :ターボ分子ポンプ |
スループット | 約10分 / ウエハ(φ4インチ、SiO₂膜、平均加工量100nm) |
対応材質 | Si、SiO₂ 、LT、LNなど |
加工精度 | σ=1.0nm以下(典型値) |
タイプ | 枚葉式 |
構成 | 4室(カセット室、バッファー室、アライナー室、トリミング室) |
イオンソース | 昭和真空製、熱陰極電子衝撃型(カウフマン型)、Arガス |
処理枚数 | 1枚/バッチ(25枚用カセットを2個搭載) |
対応基板 | φ4インチ、φ6インチ(静電チャックを組み換えて対応) |
基板ステージ | 静電チャック + Heガス冷却 |
真空槽 | トリミング室: W850㎜×D510㎜×H850㎜ |
設置面積 | W1,120㎜×D3,870㎜×H2,300㎜ |
装置重量 | 2,700kg |