特長
本装置は水晶振動子のベース電極成膜を目的として開発したロードロック式スパッタ装置です。仕込室、成膜室の2室からなり、加熱から成膜、取出までを全自動で連動して行うことにより、「ベース電極成膜工程」のライン化が可能となり生産性の向上と省力化に貢献します。両面同時成膜によりハイタクトで稼働できます。
- 外形：W1,100㎜×D2,500㎜×H1,205㎜（低背化を実現）
- ターゲット使用効率約40％
- ラック＆ピニオン方式を採用し安定した搬送を実現
用途・応用例
各種電子部品への電極用金属膜の形成
仕様
| SPH-2500T-Ⅱ | |
|---|---|
| 処理方式 | ロードロック式、通過型 |
| 排気ポンプ | 油回転ポンプ＋ターボ分子ポンプ ※オプション：クライオポンプ対応可 |
| 設置寸法 | W1,100㎜×D3,640㎜×H1,680㎜ |
| 装置重量 | 1,900kg |
| 電源容量 | AC200V～220V（3φ） / 27kVA（78A） |
| カソード | 5インチ×7インチ 2対（うち１対が高使用効率カソード） |
| トレイサイズ | L350㎜×H139㎜ |
| 基板搬送方式 | ラック＆ピニオン搬送 |
| ストッカー | 10トレイ収納 |
| 膜厚分布 | トレイ内 ±1.2% ／ トレイ間 ±1.5% ※成膜有効範囲±50㎜ |
| ターゲット使用効率 | 40％ |
| サイクルタイム | 3min／トレイ ※Cr:8nm、Ag:45nm成膜時 1トレイ目除く |
| 到達圧力 | 仕込／取出室 1.0×10-3Pa以下 SP室 1.0×10-3Pa以下 |
| 排気時間 | 仕込／取出室 2.0×10-2Pa迄 3分以内 SP室 1.2×10-2Pa迄 10分以内 |
| 基板加熱温度 | 150℃以上を確認 |
オプション
DCボンバード機構（表面改質用）
